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Everspin Technologies
6,30 $
Après la clôture :
6,30 $
(0,00 %)0,00
Fermé : 25 juin, 16:02:14 UTC−4 · USD · NASDAQ · Clause de non-responsabilité
ActionPays où le titre est coté : États-UnisPays du siège social : États-Unis
Dernière clôture
6,20 $
Variation sur la journée
6,09 $ - 6,32 $
Plage sur l'année
4,34 $ - 7,00 $
Capitalisation boursière
141,54 M USD
Volume moyen
86,72 k
Ratio cours/bénéfices
-
Rendement (dividendes)
-
Place boursière principale
NASDAQ
Actualités des marchés
Données financières
Compte de résultat
Chiffre d'affaires
Résultat net
(USD)mars 2025Variation Y/Y
Chiffre d'affaires
13,14 M-8,95 %
Charges d'exploitation
8,68 M-0,86 %
Résultat net
-1,17 M-477,23 %
Marge bénéficiaire nette
-8,88-534,29 %
Bénéfice par action
0,02-71,87 %
EBITDA
-1,09 M-437,62 %
Taux d'imposition effectif
-2,64 %
Total des actifs
Total du passif
(USD)mars 2025Variation Y/Y
Trésorerie/Invest. court terme
42,16 M21,14 %
Total des actifs
80,23 M21,26 %
Total du passif
17,20 M65,67 %
Total des capitaux propres
63,03 M
Actions en circulation
22,47 M
Ratio cours/valeur comptable
2,20
Rentabilité des actifs
-6,11 %
Retour sur capitaux
-6,99 %
Variation nette en trésorerie
(USD)mars 2025Variation Y/Y
Résultat net
-1,17 M-477,23 %
Trésorerie (opérations)
1,44 M211,37 %
Trésorerie (invest.)
-1,39 M-15,44 %
Trésorerie (financement)
12,00 k-96,60 %
Variation nette en trésorerie
61,00 k102,84 %
Flux de trésorerie dispo.
1,74 M156,78 %
À propos
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM. MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Date de fondation
2008
Site Web
Employés
87
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